| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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19年
留言
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ONSEMINA |
11520 |
25+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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15年
留言
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10 |
25+ |
公司现货库存 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TO-126 |
2317 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TO-126-3 |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemi(安森美)TO-126-3 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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16年
留言
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FAIRCHILD原装 |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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13年
留言
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FAIRCHITO-126 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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8年
留言
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FAIRCHILDTO-126 袋装 |
5800 |
0606+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
343594 |
26+ |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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16年
留言
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FAIRCHILDTRANS |
65480 |
23+ |
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10年
留言
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FSCKSD882YS |
13528 |
25+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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16年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
6895 |
26+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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5年
留言
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ONTO-126F |
3677 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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7年
留言
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ON-安森美TO-126 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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19年
留言
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FAIRCHILDTO-126 |
40 |
1012+ |
全新 发货1-2天 |
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6年
留言
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FAIRCHILDTO-126 袋装 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
留言
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ONSEMI/安森美 |
6800 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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7年
留言
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1983 |
三年内 |
只做原装正品 |
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11年
留言
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ONTO-126 |
20000 |
25+ |
原装 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
40 |
23+ |
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KSD882YS图片
KSD882YSTU价格
KSD882YSTU价格:¥0.7931品牌:Fairchild
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更多KSD882YS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
KSD882YS
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
160 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
90MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126-3
- 描述:
TRANS NPN 30V 3A TO126-3


























