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KSB834	文件：238.74 Kbytes Page：6 Pages	PNP (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER • Complement to KSD880 文件：238.74 Kbytes 页数：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KSB834	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)	Samsung 三星	Samsung
KSB834	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Frequency Power Amplifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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KSB834W	文件：280.65 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Complement to KSD880W • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：280.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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晶体管资料

型号：
KSB834
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
KTB834,2SA636A,2SB761,2SB834,2SB898,2SB899,2SB988,2SB1089,2SB1266,2SB1273,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
0
htest：
999900
atest：
3
wtest：
30

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
7
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
100
hFE Max：
200
fT Min (MHz)：
9
PTM Max (W)：
1.5
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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