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KSB834W	文件：28.1 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency Power Amplifier LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSD880W	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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KSB834W	文件：280.65 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •ComplementtoKSD880W •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Lowfrequencypoweramplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSB834WYTM	文件：33.58 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency Power Amplifier LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSD880W	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSB834WYTM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSB834Y	文件：75.87 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyPowerAmplifier LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSD880	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LMV834	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	OperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV834	文件：1.39112 Mbytes Page：27 Pages	LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMV834MT	文件：1.07316 Mbytes Page：20 Pages	3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV834MT	文件：1.04694 Mbytes Page：20 Pages	3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
KSB834W
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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