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KSB834中文资料PDF规格书

KSB834
厂商型号

KSB834

参数属性

KSB834 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 60V 3A D2PAK

功能描述

PNP (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

文件大小

238.74 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Samsung Group
企业简称

Samsung三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-19 13:26:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSB834

  • 别名:

    KSB834三极管、KSB834晶体管、KSB834晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    KTB834,2SA636A,2SB761,2SB834,2SB898,2SB899,2SB988,2SB1089,2SB1266,2SB1273,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

KSB834规格书详情

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

• Complement to KSD880

产品属性

  • 产品编号:

    KSB834WYTM

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 5mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    9MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK(TO-263)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 3A D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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