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KSB601Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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KSB601YTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
KSB601
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
KTB595,KTB686,2SB601,2SB676,2SB677,2SB686,2SB687,2SB862,2SB880,2SB885,2SB1004,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
0
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

详细参数

型号：
KSB601
功能描述：
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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