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KSC2073	文件：265.03 Kbytes Page：7 Pages	NPN (TV VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) TVVerticalDeflectionOutput •ComplementtoKSA940 •Collector-BaseVoltage:VCBO=150V	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSC2073	文件：56.15 Kbytes Page：4 Pages	TV Vertical Deflection Output Features •TVVerticalDeflectionOutput •ComplementtoKSA940 •Collector-BaseVoltage:VCBO=150V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073	文件：114.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •TVVerticalDeflectionOutput •ComplementtoKSA940 •Collector-BaseVoltage:VCBO=150V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073	文件：125.09 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •TVVerticalDeflectionOutput •ComplementtoKSA940 •Collector-BaseVoltage:VCBO=150V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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KSC2073	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 150V 1.5A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSC2073H2	文件：125.09 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •TVVerticalDeflectionOutput •ComplementtoKSA940 •Collector-BaseVoltage:VCBO=150V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073H2TSTU	文件：114.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •TVVerticalDeflectionOutput •ComplementtoKSA940 •Collector-BaseVoltage:VCBO=150V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073H2TU	文件：114.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •TVVerticalDeflectionOutput •ComplementtoKSA940 •Collector-BaseVoltage:VCBO=150V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

晶体管资料

型号：
KSC2073
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
KTC2073,KTC2238,2SC1799,2SC2141,2SC2193,2SC2275,2SC2660A,2SD386,2SD386A,2SD387,2SD387A,2SD477,2SD478,2SD576,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
0
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
25

产品属性

产品编号：
KSC2073
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，10V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 150V 1.5A TO220-3

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