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KSC2073	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 150V 1.5A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSC2073H2	文件：125.09 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • TV Vertical Deflection Output • Complement to KSA940 • Collector-Base Voltage : VCBO = 150V 文件：125.09 Kbytes 页数：4 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073H2TSTU	文件：114.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • TV Vertical Deflection Output • Complement to KSA940 • Collector-Base Voltage : VCBO = 150V 文件：114.94 Kbytes 页数：4 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073H2TU	文件：114.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • TV Vertical Deflection Output • Complement to KSA940 • Collector-Base Voltage : VCBO = 150V 文件：114.94 Kbytes 页数：4 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073TU	文件：247.36 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage-:V(BR)CEO= 150V(Min) · Wide Area of Safe Operation · Complement to Type KSA940TU · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Power amplifier applications. · Vertical output applicatio 文件：247.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSC2073_11	文件：114.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：114.94 Kbytes 页数：4 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073TU	文件：114.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：114.94 Kbytes 页数：4 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC2073H2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 150V 1.5A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSC2073H2TSTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3截切引线；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 150V 1.5A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
KSC2073
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，10V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 150V 1.5A TO220-3

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