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KSB795

Audio Frequency Power Amplifier

Audio Frequency Power Amplifier • Low Speed Switching Industrial Use

文件:47.81 Kbytes 页数:4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSB795OSTU

TRANS PNP DARL 80V 1.5A TO-126

ONSEMI

安森美半导体

KSB795OSTU

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 1.5A TO126-3

ONSEMI

安森美半导体

MA795

Silicon epitaxial planar type

文件:76.72 Kbytes 页数:3 Pages

PANASONIC

松下

MA795WA

Schottky Barrier Diodes (SBD)

文件:70.84 Kbytes 页数:3 Pages

PANASONIC

松下

MA795WK

Schottky Barrier Diodes (SBD)

文件:70.84 Kbytes 页数:3 Pages

PANASONIC

松下

晶体管资料

  • 型号:

    KSB795

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    1.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SB795,2SB1012K,2SB1034,2SB1067,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    10

详细参数

  • 型号:

    KSB795

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多KSB795供应商 更新时间2026-1-17 10:12:00