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KSC2331	文件：40.17 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching Features • Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching • Complement to KSA931 • High Collector-Base Voltage : VCBO=80V • Collector Current : IC=700mA • Collector Dissipation : PC=1W 文件：40.17 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC2331	文件：81.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN LOW FREQUENCY AMPLIFIER MEDIUM SPEED SWITCHING) LOW FREQUENCY AMPLIFIER MEDIUM SPEED SWITCHING • Complement to KSA931 • High Collector-Base Voltage Vcso = 80 V • Collector Current Ic = 700mA • Collector Disslpation Pc = 1W 文件：81.69 Kbytes 页数：2 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KSC2331	文件：80.2 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM : 1 W Tamb=25 Collector current ICM : 0.7 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 80 V Operating and storage junction temperature range TJ Tstg: -55°C to +150°C 文件：80.2 Kbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
KSC2331	文件：124.07 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) 文件：124.07 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
KSC2331	文件：1.14927 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. 文件：1.14927 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
KSC2331	文件：109.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：109.24 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC2331	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
KSC2331	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	LGE 鲁光电子	LGE
KSC2331	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
KSC2331-TO-92L	文件：80.2 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM : 1 W Tamb=25 Collector current ICM : 0.7 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 80 V Operating and storage junction temperature range TJ Tstg: -55°C to +150°C 文件：80.2 Kbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

晶体管资料

型号：
KSC2331
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_宽频带放大（A）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.7
wtest：
0

技术参数

Compliance：
Pb-free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
0.7
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
8
VBE(sat) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
1
Package Type：
TO-92-3 LF

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