| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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17年
留言
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KECSOT-23 |
18000 |
24+ |
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10年
留言
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SOT-23NA |
15659 |
25+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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17年
留言
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SAMSUNGSOT-23 |
8700 |
24+ |
新进库存/原装 |
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4年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23-3 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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13年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23-3 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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13年
留言
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三星SOT-23 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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12年
留言
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KECSOT23 |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
23950 |
23+ |
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SAMSUNG/三星SOT-23 |
13000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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10年
留言
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SAMSUNGSOT-23 |
35689 |
最新 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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18年
留言
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SMG原厂原装 |
39051 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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14年
留言
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FAIRCILDSOT23 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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12年
留言
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onsemiTO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2700 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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13年
留言
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SAMSUNG/三星SOT-23 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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6年
留言
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SAMSUNG/三星SOT-23 |
3000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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10年
留言
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SAMSUNG原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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10年
留言
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SAMSUNG原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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KSC2859图片
KSC2859-Y中文资料Alldatasheet PDF
更多KSC2859制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSC2859O制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSC2859OMTF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2859OMTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2859Y制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSC2859YMTF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2859YMTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
射频/高频放大 (HF)_通用 (G)
- 封装形式:
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
0.5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
- 可代换的型号:
2SC2859,2SC3848,2SC3876,2SD1757,
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
- 图片代号:
NO
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
0.5
- wtest:
0
























