| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiTO-126-3 |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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6年
留言
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SAMSUNG/三星TO-126F |
233 |
97+ |
原装进口无铅现货 |
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12年
留言
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SAMSUNG/三星TO-126F |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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3年
留言
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SAM/三星TO-126F |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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10年
留言
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SAMSUNG/三星TO-126 |
30000 |
25+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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6年
留言
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恩XP |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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5年
留言
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SAMSUNG/三星TO-126 |
360000 |
26+ |
原装现货 |
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7年
留言
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onsemiTO-126-3 |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-126-3 |
7734 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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FAIRCHITO-126F |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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6年
留言
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SAMSUNG/三星TO-126F |
245 |
97+ |
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11年
留言
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SAMSUNG/三星TO-126F |
30000 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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6年
留言
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SECTR-TO126ECBNPNO10020 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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15年
留言
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三星TO-126 |
27467 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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3年
留言
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SAMSUNG/三星TO-126 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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6年
留言
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ON-安森美TO-126 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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18年
留言
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FAIRCHILDTO-126 |
23 |
2001+ |
全新 发货1-2天 |
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17年
留言
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仙童TO-126F |
1000 |
24+ |
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9年
留言
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三星TO-126 |
6896 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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FAICCHILDTO-126 |
13000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
KSC2682采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSC2682图片
KSC2682-YSTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSC2682制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier
KSC2682OS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2682OSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2682YS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2682YSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
射频/高频放大 (HF)_功率放大 (PA)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2SC1903,2SC1904,2SC2257A,2SC2682,2SC2704,2SC2911,2SC2912,
- 最大耗散功率:
8W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-100
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
0.1
- wtest:
8































