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KSC5024	文件：58.49 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage and High Reliabilty High Voltage and High Reliabilty • High Speed Switching • Wide SOA 文件：58.49 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5024	文件：206.31 Kbytes Page：6 Pages	NPN (HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY) HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA 文件：206.31 Kbytes 页数：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KSC5024	文件：212.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 500V(Min) • High Switching Speed • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for switching regulator and general purpose applications. 文件：212.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSC5024	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN (HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY)	Samsung 三星	Samsung
KSC5024	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage and High Reliabilty	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSC5024RTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 500V 10A TO3PN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
KSC5024
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
功率开关（PSW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3365,
最大耗散功率：
90W
放大倍数：
图片代号：
B-33
vtest：
0
htest：
999900
atest：
10
wtest：
90

详细参数

型号：
KSC5024
功能描述：
两极晶体管 - BJT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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