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KSB1022	文件：47.69 Kbytes Page：4 Pages	High Power Switching Applications HighPowerSwitchingApplications •HighDCCurrentGain •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •ComplementtoKSD1417	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSB1022TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 60V 7A TO220F-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LD1022	文件：435.98 Kbytes Page：26 Pages	16ChannelConstantCurrentLEDDriver	LDT LDT Co., Ltd	LDT
LD1022SP	文件：435.98 Kbytes Page：26 Pages	16ChannelConstantCurrentLEDDriver	LDT LDT Co., Ltd	LDT
LD1022SS	文件：435.98 Kbytes Page：26 Pages	16ChannelConstantCurrentLEDDriver	LDT LDT Co., Ltd	LDT
LMV1022	文件：612.97 Kbytes Page：20 Pages	PDMOutputPre-AmplifierforElectretMicrophones	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LS1022A	文件：964.93 Kbytes Page：71 Pages	TWR-LS1021AReferenceManual	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
LT1022	文件：160.91 Kbytes Page：12 Pages	HighSpeed,PrecisionJFETInputOperationalAmplifier	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

详细参数

型号：
KSB1022
功能描述：
达林顿晶体管 PNP Silicon Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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