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KSB1151	文件：160.33 Kbytes Page：5 Pages	PNP (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT) LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT HIGH POWER DISSIPATION: PT=1.3W (Ta=25 °C) Complementary to KSD1691 文件：160.33 Kbytes 页数：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KSB1151	文件：898.08 Kbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage ● Large Collector Current ● High Power Dissipation ● Complement to KSD1691 文件：898.08 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
KSB1151	文件：1.65427 Mbytes Page：4 Pages	丝印：B1151；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current High Power Dissipation Complement to KSD1691 文件：1.65427 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
KSB1151	文件：50.2 Kbytes Page：5 Pages	Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current Feature • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Large Collector Current • High Power Dissipation : PC=1.3W (Ta=25°C) • Complement to KSD 1691 文件：50.2 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSB1151	文件：55.68 Kbytes Page：5 Pages	Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：55.68 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSB1151	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Semiteh	Semiteh
KSB1151	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	LIXI 力芯微电子	LIXI
KSB1151	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
KSB1151-TU	文件：1.65427 Mbytes Page：4 Pages	丝印：B1151；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current High Power Dissipation Complement to KSD1691 文件：1.65427 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
KSB1151YSTU	文件：55.68 Kbytes Page：5 Pages	Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：55.68 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

晶体管资料

型号：
KSB1151
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1127,2SB1140,2SB1143,2SB1151,2SB1165,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
A-100
vtest：
0
htest：
999900
atest：
5
wtest：
20

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.3
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
7
VBE(sat) (V)：
1.2
hFE Min：
160
hFE Max：
320
PTM Max (W)：
1.3
Package Type：
TO-126-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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