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KTA1023	文件：334.61 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(HIGHVOLTAGE) HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURE •ComplementarytoKTC1027.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KTA1023	文件：57.24 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). •Audiopoweramplifier •HighCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
KTA1023	文件：948.84 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features ComplementarypairwithKTC1027. Applications Highvoltageapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTA1023-O	文件：57.24 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). •Audiopoweramplifier •HighCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

晶体管资料

型号：
KSB1023
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1023,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
20

详细参数

型号：
KSB1023
功能描述：
达林顿晶体管 PNP Silicon Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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