SSM3J334R芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

首页 >丝印反查>KFL

丝印	下载订购	功能描述	制造商上传企业
KFL	文件：476.19 Kbytes Page：6 Pages	型号：SSM3J334R；Package：2-3Z1S；TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) ○PowerManagementSwitchApplications LowON-resistance:RDS(ON)=71mΩ(max)(@VGS=-10V) RDS(ON)=105mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=136mΩ(max)(@VGS=-4.0V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
	文件：790.5 Kbytes Page：9 Pages	型号：KFL；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
	文件：67.84 Kbytes Page：4 Pages	型号：KFL-1ML-N；Infrared Emitting Diodes(GaAIAs) Description TheIREDhaveawithangularresponseandrelativelylow-costcomparedtocantypedevices. TheKFL-1ML-Nisahigh-powerGaAlAsIREDmountedinTO-46Ktypeheaderwithclearepoxyencapsulation. Features ◆Wideangularresponse ◆Peakemissionwavelength?p=850nm ◆Relativerylo	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团

丝印

下载订购

功能描述

制造商上传企业

LOGO

KFL

文件：476.19 Kbytes

Page：6 Pages

型号：SSM3J334R；Package：2-3Z1S；TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications LowON-resistance:RDS(ON)=71mΩ(max)(@VGS=-10V) RDS(ON)=105mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=136mΩ(max)(@VGS=-4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

文件：790.5 Kbytes

Page：9 Pages

型号：KFL；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

文件：67.84 Kbytes

Page：4 Pages

型号：KFL-1ML-N；Infrared Emitting Diodes(GaAIAs)

Description TheIREDhaveawithangularresponseandrelativelylow-costcomparedtocantypedevices. TheKFL-1ML-Nisahigh-powerGaAlAsIREDmountedinTO-46Ktypeheaderwithclearepoxyencapsulation. Features ◆Wideangularresponse ◆Peakemissionwavelength?p=850nm ◆Relativerylo

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

详细参数

型号：
KFL
功能描述：
MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA/东芝	25+	SOT-23	32000	TOSHIBA/东芝全新特价SSM3J334R即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	SSM3J334R		2015+		2000	公司现货库存	询价
深圳市弘为电子有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA	24+	SOT-23F	11800	原装现货假一罚十	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA	24+	SOT23	3000	原装原厂代理可免费送样品	询价
深圳市旺财半导体有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA/东芝	23+	SOT23	35680	只做进口原装QQ:373621633	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA/东芝	24+	SOT23-3	503300	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市云美电子科技有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-23	50945	只做全新原装进口现货	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA/东芝	21+	SOT-23	30000	只做进口原装假一赔十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA(东芝)	24+	-	7068	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市恒创达实业有限公司	SSM3J334R	TOSHIBA	17+	SOT23	6200	100%原装正品现货	询价

更多KFL供应商更新时间2025-8-5 9:04:00

详细参数

相关芯片丝印

相关库存