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MTB9N25E	文件：258.75 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET9.0AMPERES250VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP9N25	文件：206.33 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET9.0AMPERES250VOLTSRDS(on)=0.45OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP9N25E	文件：213.11 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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更多KF9N25D供应商更新时间2025-5-15 19:41:00