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KF9N40D	文件：914.31 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDConvertorandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=400V,ID=6.5A •	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
KF9N40D_15	文件：914.31 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
9N40	文件：158.82 Kbytes Page：4 Pages	9A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
9N40	文件：67.91 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD9N40	文件：266.84 Kbytes Page：6 Pages	400V,8AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD9N40	文件：309.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOT9N40	文件：305.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOT9N40	文件：258.01 Kbytes Page：5 Pages	400V,8AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
MDD9N40	文件：840.27 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET400V,6A,0.85(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MDD9N40RH	文件：353.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MDD9N40RH	文件：840.27 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET400V,6A,0.85(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.

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艾睿国际（香港）有限公司	KF9N40D-RTF/HS	KEC	2021+	TO-252	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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