首页 >MTB9N25E>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

MTB9N25E

TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS

TheD2PAK package has the capability of housing a larger die thanany existing surface mount package which allows it to be used inapplications that require theuse of surface mount components withhigher power and lower RDS(on)capabilities. This high voltage MOSFETuses an advanced termination scheme

文件:258.75 Kbytes 页数:10 Pages

Motorola

摩托罗拉

MTB9N25E

High Energy Power FET

文件:293.63 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTB9N25E

TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS

恩XP

恩XP

MTB9N25E

High Energy Power FET

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MTB9N25E

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
24+
30000
询价
ON
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
ON
24+
T0-252
6430
原装现货/欢迎来电咨询
询价
ON
08+
350
普通
询价
ON/安森美
2022+
SOT263
12888
原厂代理 终端免费提供样品
询价
ON/安森美
23+
SOT263
15050
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
MOTOROLA
22+
TO-263
3000
原装正品,支持实单
询价
ON/安森美
22+
SOT263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
ON/安森美
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货
询价
ON/安森美
20+
现货很近!原厂很远!只做原装
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
询价
更多MTB9N25E供应商 更新时间2025-12-1 15:30:00