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K4H510438D	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDR SDRAM Product Guide Consumer Memory 文件：239 Kbytes 页数：10 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512Mb D-die DDR SDRAM Specification Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Dif 文件：367.85 Kbytes 页数：24 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D-TCA0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( 文件：669.27 Kbytes 页数：53 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D-TCA2	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( 文件：669.27 Kbytes 页数：53 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D-TCB0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( 文件：669.27 Kbytes 页数：53 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D-TLA0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( 文件：669.27 Kbytes 页数：53 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D-TLA2	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( 文件：669.27 Kbytes 页数：53 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D-TLB0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( 文件：669.27 Kbytes 页数：53 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D-UC/LA2	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512Mb D-die DDR SDRAM Specification Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Dif 文件：367.85 Kbytes 页数：24 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510438D-UC/LB0	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512Mb D-die DDR SDRAM Specification Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Dif 文件：367.85 Kbytes 页数：24 Pages	Samsung 三星	Samsung

详细参数

型号：
K4H510438D
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
DDR SDRAM Product Guide

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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