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K4H510838B-TC/LA2	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512Mb B-die DDR SDRAM Specification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4H510838B-TC/LA2

文件：332.33 Kbytes

Page：24 Pages

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4H510838B-TC/LA2
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512Mb B-die DDR SDRAM Specification

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更多K4H510838B-TC/LA2供应商更新时间2025-7-25 17:10:00

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