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LM258QT	文件：1.07811 Mbytes Page：25 Pages	丝印：K4C；Package：DFN8；Low-power dual operational amplifiers Features Frequency compensation implemented internally Large DC voltage gain: 100 dB Wide bandwidth (unity gain): 1.1 MHz (temperature compensated) Very low supply current per channel essentially independent of supply voltage Low input bias current: 20 nA (temperature compensated) Low input 文件：1.07811 Mbytes 页数：25 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
K4C560838C-TCD3	文件：880.8 Kbytes Page：42 Pages	256Mb Network-DRAM 文件：880.8 Kbytes 页数：42 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4C560838C-TCD4	文件：880.8 Kbytes Page：42 Pages	256Mb Network-DRAM 文件：880.8 Kbytes 页数：42 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4C560838C-TCDA	文件：880.8 Kbytes Page：42 Pages	256Mb Network-DRAM 文件：880.8 Kbytes 页数：42 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
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K4C561638C-TCD4000	文件：880.8 Kbytes Page：42 Pages	256Mb Network-DRAM 文件：880.8 Kbytes 页数：42 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4C561638C-TCDA	文件：880.8 Kbytes Page：42 Pages	256Mb Network-DRAM 文件：880.8 Kbytes 页数：42 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4C89083AF-ACF5	文件：1.4706 Mbytes Page：55 Pages	288Mb x18 Network-DRAM2 Specification 文件：1.4706 Mbytes 页数：55 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4C89083AF-ACF6	文件：1.4706 Mbytes Page：55 Pages	288Mb x18 Network-DRAM2 Specification 文件：1.4706 Mbytes 页数：55 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

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详细参数

型号：
K4C
功能描述：
运算放大器 - 运放 Low PWR Dual Op 100dB 1.1MHz 20nA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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