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Marking：K1529；Package：SC-65；N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) High-PowerAmplifierApplication ●Highbreakdownvoltage:VDSS=180V ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ●Complementaryto2SJ200 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Marking：K1529；Package：SC-65；N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
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