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K190E60Z1	文件：511.85 Kbytes Page：9 Pages	型号：TK190E60Z1；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.158Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.48mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝

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K190E60Z1

文件：511.85 Kbytes

Page：9 Pages

型号：TK190E60Z1；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.158Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.48mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多K190E60Z1供应商更新时间2025-8-3 14:01:00

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