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TK20A60U	文件：184.91 Kbytes Page：6 Pages	Marking：K20A60U；Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.165Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=12S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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Marking：K20A60U；Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS??

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.165Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=12S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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