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2SK1529	文件：181.93 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K1529；Package：SC-65；N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) High-Power Amplifier Application ● High breakdown voltage : VDSS = 180 V ● High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 4.0 S (typ.) ● Complementary to 2SJ200 文件：181.93 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1529	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1529	文件：289.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 180V(Min) · Fast Switching Speed APPLICATIONS · DC-DC Converter · Motor Drive · Power Switch 文件：289.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1529	文件：285.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：285.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1529	文件：490.19 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K1529；Package：SC-65；N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 文件：490.19 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1529	文件：274.01 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K1529；Package：SC-65；High-Power Amplifier Application 文件：274.01 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1529	文件：300 bytes Page：1 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Power Amplifier Application	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK1529_06	文件：490.19 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 文件：490.19 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1529_09	文件：274.01 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Amplifier Application 文件：274.01 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SK1529
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
N CHANNEL MOS TYPE(HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK1529供应商更新时间2026-10-17 8:30:00

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