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MBRS170	文件：477.13 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K17；Package：SOD-123FL；SCHOTTK Y BARRIER DIODE Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadl	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
SS1070FL	文件：542.86 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K17；Package：SOD-123FL；SCHOTTK Y BARRIER DIODE Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadl	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
TK17A65W	文件：248.13 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K17A65W；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.17Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.9mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK17A65W5	文件：246.96 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K17A65W5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=110ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.19Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK17A80W	文件：414.56 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K17A80W；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.25Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.85mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK17E65W	文件：254.8 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K17E65W；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.17Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.9mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK17E80W	文件：422.92 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K17E80W；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.25Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.85mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK17N65W	文件：251.58 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K17N65W；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.17Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.9mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
K17
制造商：
Carlo Gavazzi Inc.
类别：
开关 > 配件
包装：
散装
配件类型：
操作键
配套使用/相关产品：
PS21S 和 PS42S 系列
描述：
SHOCK MNT BENT KEY PS21S/PS42S

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