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MTB50N06V	文件：213.32 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB50N06VL	文件：249.58 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTS TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOSE–FETdesigns,TMOSVisdesignedtowithstandhighenergy	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB50N06VL	文件：264.56 Kbytes Page：10 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP50N06	文件：179.52 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP50N06	文件：195.75 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP50N06	文件：232.47 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET50AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP50N06E	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP50N06EL	文件：232.47 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET50AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP50N06EL	文件：979.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP50N06L	文件：979.47 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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技术参数

Confi- guration：
N
Status：
Active
CompatibleIndustry-commonPackage：
DPAK
-->VDSMax (V)：
-->60
IDMax (A)：
50
VGS(th)Typ (V)：
1.6
RDS(ON)Typ @ VGS 10V (mΩ)：
12
RDS(ON)Max @ VGS 10V (mΩ)：
15
RDS(ON)Typ @ VGS 4.5V (mΩ)：
14
RDS(ON)Max @ VGS 4.5V (mΩ)：
21
VGSMax (V)：
±20
EASMax (mJ)：
59
CissTyp (pF)：
2660
CossTyp (pF)：
119
CrssTyp (pF)：
96
QgTyp (nC)：
50
With ESD：
No
FOM：
600

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	JMTK50N06B	捷捷微	23+	TO-252-3L	68000	捷捷微全系列供应,支持终端生产	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	JMTK50N06B		24+	N/A	53000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市芯皇电子有限公司	JMTK50N06B	捷捷微	23+	TO-252-3L	50000	专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价
惠州市良思优电子科技有限公司	JMTK50P02A	JJM	2326	TO-252-3L	40		询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	JMTK60N04AMOS(场效应管)	捷捷微	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多JMTK50N06B供应商更新时间2025-7-29 17:37:00

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