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MTP50N06	文件：232.47 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 50 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP50N06	文件：195.75 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP50N06	文件：179.52 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP50N06E	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP50N06EL	文件：232.47 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 50 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP50N06V	文件：179.52 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP50N06V	文件：112.94 Kbytes Page：2 Pages	TMOS V??Power Field Effect Transistor TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MTP50N06VL	文件：195.75 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP50N06EL	文件：979.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
MTP50N06L	文件：979.47 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
MTP50N06V	文件：332.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP50N06V	文件：979.45 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
MTP50N06V	文件：207.07 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MTP50N06VL	文件：208.75 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MTP50N06VL	文件：1.13263 Mbytes Page：6 Pages	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
50N06	文件：145.94 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC50N06isthree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityofabout50A,fastswitchingspeed.Lowon-stateresistance,breakdownvoltageratingof60V,andmaxthresholdvoltagesof4volt.Itismainlysuitableelectronicballast,andlowpowerswitchingmod	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
50N06	文件：330.9 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
50N06	文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
50N06	文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
50N06	文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

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详细参数

型号：
MTP50N06
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM

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