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P4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：244.37 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL1500V-5-ohm-4ATO-220FHVeryHighVoltagePowerMESH-TMMOSFET Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：249.12 Kbytes Page：13 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-TO-220FHVeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STFW4N150	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrentID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STP4N150	文件：310.71 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL1500V-5-4ATO-220/TO-247VeryHighVoltagePowerMESHMOSFET Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STP4N150	文件：365.47 Kbytes Page：14 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-TO-220/TO-247VeryhighPowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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T4N150BW	文件：3.14276 Mbytes Page：81 Pages	TmaxMoldedCaseCircuitBreakers	ABBabb ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXTT4N150HV-TRL供应商更新时间2024-9-24 14:13:00

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