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FQP28N15	文件：302.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF28N15	文件：278.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF28N15	文件：768.51 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
STB28N15	文件：157.7 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU28N15	文件：175.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

产品属性

产品编号：
IXTQ28N15P
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
Polar
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-3P
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
描述：
MOSFET N-CH TO3P

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