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SPB80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
UTT80N10	文件：951.48 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UTT80N10	文件：130.9 Kbytes Page：3 Pages	80A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUTT80N10isanN-channelpowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),highswitchingspeed,highcurrentcapacityandlowgatecharge. TheUTCUTT80N10issuitableforDC-DCconverters,Off-LineUPS,HighVoltageSynchronous	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
WSR80N10	文件：1.51876 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WSR80N10	文件：812.83 Kbytes Page：7 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.014
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
80
Gate Charge (nC)：
60
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.65
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
100
Power Dissipation (W)：
230
Sample Request：
Yes
Check Stock：
Yes

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