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|---|---|---|---|---|
SPP80N10L | SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level 175°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 文件：108.75 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
SPP80N10L | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT80N10 is an N-channel power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON), high switching speed, high current capacity and low gate charge. The UTC UTT80N10 is suitable for DC-DC converters, Off-Line UPS, High Voltage Synchronous 文件：130.9 Kbytes 页数：3 Pages | UTC 友顺 | UTC | ||
N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：951.48 Kbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.51876 Mbytes 页数：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER |
详细参数
- 型号：
SPP80N10L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
SIPMOS®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
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