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SPI80N10L | SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level 175°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 文件：108.75 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
SPI80N10L | MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level 175°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 文件：108.75 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT80N10 is an N-channel power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON), high switching speed, high current capacity and low gate charge. The UTC UTT80N10 is suitable for DC-DC converters, Off-Line UPS, High Voltage Synchronous 文件：130.9 Kbytes 页数：3 Pages | UTC 友顺 | UTC | ||
N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：951.48 Kbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
详细参数
- 型号：
SPI80N10L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
SIPMOS®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
TO262-3 |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
12+ |
T0-263 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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TO-262-3 |
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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Infineon Technologies |
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TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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