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IXTA1N80P	文件：167.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP1N80	文件：60.97 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP1N80P	文件：167.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTU1N80P	文件：167.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY1N80	文件：60.97 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY1N80P	文件：167.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KSMD1N80	文件：1.55309 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU1N80	文件：1.55309 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU1N80	文件：1.55309 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTD1N80E	文件：269.28 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=12OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignal	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

更多IXTA1N80P供应商更新时间2025-5-21 10:05:00