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KGF40N60PA	文件：1.4286 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT40N60KDA	文件：437.24 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MGY40N60	文件：205.61 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtimesuchasMotorControlDriv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGY40N60D	文件：247.07 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
NGTB40N60FLWG	文件：247.74 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N60IHLWG	文件：184.19 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RLPGB40N60CT	文件：666.02 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features 600V,40A VCE(sat)(typ.)=2.3V@VGE=15V,IC=40A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOA GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andotherswit	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SGF40N60	文件：357.57 Kbytes Page：8 Pages	HighSpeedSwitching CO-PAKIGBT FEATURES HighSpeedSwitching LowSaturationVoltage :VCE(sat)=2.0V(@Ic=20A) HighInputImpedance CO-PAK,IGBTwithFRD :Trr=42nS(typ.) APPLICATIONS AC&DCMotorcontrols GeneralPurposeInverters *Robotics,ServoC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGF40N60UF	文件：555.09 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •LowSa	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGF40N60UFD	文件：357.57 Kbytes Page：8 Pages	HighSpeedSwitching CO-PAKIGBT FEATURES HighSpeedSwitching LowSaturationVoltage :VCE(sat)=2.0V(@Ic=20A) HighInputImpedance CO-PAK,IGBTwithFRD :Trr=42nS(typ.) APPLICATIONS AC&DCMotorcontrols GeneralPurposeInverters *Robotics,ServoC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IXKR40N60C
功能描述：
MOSFET 40 Amps 600V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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