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IXGH30N60B2	文件：583.54 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFAST IGBT Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features MediumfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH30N60B2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 190W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH30N60B2D1	文件：606.36 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFAST IGBT HiPerFAST™IGBT Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features ●MediumfrequencyIGBT ●SquareRBSOA ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications ●PFCcircuits ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switch	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH30N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 190W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGP30N60B2	文件：554.49 Kbytes Page：5 Pages	Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT30N60B2	文件：583.54 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTIGBT Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features MediumfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGH30N60B2
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，24A
开关能量：
320µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/110ns
测试条件：
400V，24A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 70A 190W TO247

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