首页>IXGH30N60B2>规格书详情

IXGH30N60B2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGH30N60B2
厂商型号

IXGH30N60B2

参数属性

IXGH30N60B2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 70A 190W TO247

功能描述

HiPerFAST IGBT
IGBT 600V 70A 190W TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

583.54 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-24 22:59:00

人工找货

IXGH30N60B2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IXGH30N60B2规格书详情

IXGH30N60B2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGH30N60B2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching

Features

Medium frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH30N60B2

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    320µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    13ns/110ns

  • 测试条件:

    400V,24A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 190W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3341
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
IXYS
24+
TO-247
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
IXYS/艾赛斯
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
IXYS
11+
TO-247
10750
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
TO-247
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
IXYS
2016+
TO-247
6528
房间原装进口现货假一赔十
询价
IXYS
23+
TO-247
30000
代理全新原装现货,价格优势
询价
IXYS/艾赛斯
24+
TO-252
40
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
IXYS
21+
TO-247
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
询价
IXYS/艾赛斯
2023+
TO-247
6893
专注全新正品,优势现货供应
询价