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IXGH30N60B2D1

HiPerFAST IGBT

HiPerFAST™ IGBT Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features ● Medium frequency IGBT ● Square RBSOA ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switch

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IXYS

艾赛斯

IXGH30N60B2D1

PT 中频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

IXGH30N60B2D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 70A 190W TO247AD

IXYS

艾赛斯

IXGT30N60B2D1

HiPerFAST IGBT

HiPerFAST™ IGBT Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features ● Medium frequency IGBT ● Square RBSOA ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switch

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IXYS

艾赛斯

IXSH30N60B2D1

High Speed IGBT with Diode

High Speed IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability Features • International standard package • Guaranteed Short Circuit SOA capability • Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Fast fall t

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艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH30N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    320µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    13ns/110ns

  • 测试条件:

    400V,24A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 190W TO247AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGH30N60B2D1供应商 更新时间2025-11-22 15:30:00