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FDB28N30	文件：314.18 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB28N30	文件：328.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=129mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDB28N30TM	文件：314.18 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IXGT28N30	文件：52.86 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •NewestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptibl	IXYS IXYS Corporation
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技术参数

功能描述：
TRANSISTOR

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