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IXGH30N60C2D1

HiPerFAST IGBT with Diode

C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBT •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •PFCcircuits •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-mode powersupplies •ACmotorspe

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C2D1

PT IGBTs; ·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching·Available with or without ultrafast diode in parallel\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXGH30N60C2D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 70A 190W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXGT30N60C2D1

HiPerFASTIGBTwithDiode

C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBT •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •PFCcircuits •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-mode powersupplies •ACmotorspe

IXYS

IXYS Corporation

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH30N60C2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    190µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    13ns/70ns

  • 测试条件:

    400V,24A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 190W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGH30N60C2D1供应商 更新时间2025-7-28 20:12:00