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IXGH25N120	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) High speed IGBT Low VCE(sat) High speed IGBT Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • 2nd generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC 文件：45.88 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH25N120	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT IGBTs ·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH25N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH25N120A	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) High speed IGBT Low VCE(sat) High speed IGBT Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • 2nd generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC 文件：45.88 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH25N120A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGH25N120
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，25A
开关能量：
11mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/650ns
测试条件：
960V，25A，33 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

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