HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg, High dV/dt, Low trr Features • Double metal process for low gate resistance • miniBLOC, with Aluminium nitride isolation • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance • Fast intrinsic Rectifier Ap

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IXYS

艾赛斯

HiperFET Power MOSFET Q3-Class

VDSS = 500V ID25 = 63A RDS(on) ≤ 65mΩ trr ≤ 250ns N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier Features International Standard Package Low Intrinsic Gate Resistance miniBLOC with Aluminum Nitride Isolation Low Package Inductance Fast Intrinsic Rectif

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 双金属工艺带来较低的栅极电阻\n• 雪崩能量和电流额定值\n• 快速本征整流器\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

N通道HiPerFET MOSFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特