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|---|---|---|---|---|
N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | ||
N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | ||
N通道沟槽栅MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | ||
包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
技术参数
- Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.015
- Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
150
- Gate Charge (nC)：
177
- Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.14
- Configuration：
Single
- Package Type：
TO-247
- Typical Reverse Recovery Time (ns)：
100
- Power Dissipation (W)：
890
- Sample Request：
No
- Check Stock：
Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-247 |
60 |
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IXYS |
24+ |
TO247 |
5000 |
全现原装公司现货 |
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IXYS |
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TO-247 |
85600 |
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更新时间2026-1-19 15:30:00
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