高边开关

ITS4075Q-EP-D 是一款具有集成保护功能的 75mΩ 四通道智能高端电源开关。它具有高电流能力（每通道 2A）、低 RDS(ON) 值（Tj = 125°C 时为 120mΩ）以及紧凑的封装。专为工业环境设计，可切换各种负载。可通过 STATUS 输出 (ST) 获得诊断反馈。凭借强大的保护功能和光耦合器兼容性，它可确保效率。 • 集成保护功能的电源开关\n• 最大 RDS(ON) 75mΩ\n• 输出电流能力：高达 2.6A\n• 精确电流限制：1.25A(±20%)\n• 扩展电源电压范围高达 45 V\n• 所有控制输入均可支持 24 V\n• 优化的电磁兼容性\n• 热增强型 TSDSO-14 封装\n• 器件稳健性已验证\n• 绿色产品（符合 RoHS 标准）;

Infineon

英飞凌

丝印：ITS4075Q；Package：PG-TSDSO-14；75 m廓 Quad Channel Smart High-Side Power Switch

文件：1.43316 Mbytes 页数：42 Pages

INFINEON

英飞凌

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4075 is N-channel MOS FET designed for high current switching applications. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 6.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A) RDS(on)2 = 10 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) • Low Ciss: Ciss = 2900 pF T

文件：357.09 Kbytes 页数：10 Pages

RENESAS

瑞萨

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

文件：399.71 Kbytes 页数：3 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

TRANSISTOR竊뉿PN 竊

TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 0.1 W（ Tamb=25℃） Collector current ICM: 0.15 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 60 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150℃

文件：131.77 Kbytes 页数：2 Pages

JIANGSU

长电科技