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ISL9V5045S3

EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT

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Fairchild

仙童半导体

ISL9V5045S3

EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT

ONSEMI

安森美半导体

ISL9V5045S3ST_F085

ISL9V5045S3ST_F085 EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT

The ISL9V5045S3S, ISL9V5045S3ST is next generation ignition IGBT that offer outstanding SCIS capability in the industry standard D2-Pak (TO-263) plastic package. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil drivers. Internaldiodes provide voltage clamping

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Fairchild

仙童半导体

ISL9V5045S3ST-F085C

ECOSPARK Ignition IGBT 500 mJ, 450 V, N-Channel Ignition IGBT

Features • SCIS Energy = 500 mJ at TJ = 25°C • Logic Level Gate Drive • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • Automotive Ignition Coil Driver Circuits • High Current Ignition System • Coil on Plug Applications

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安森美半导体

ISL9V5045S3S

EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT

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仙童半导体

ISL9V5045S3ST

EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT

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Fairchild

仙童半导体

ISL9V5045S3ST

IGBT,450V,19A,1.6V,300mJ,DPAKEcoSPARK® I,N 沟道点火

ISL9V5045S3ST 是下一代点火 IGBT,提供工业标准 D2-Pak (TO-263) 塑封和杰出的 SCIS 能力。 此器件设计用于车用点火电路,特别是电感驱动模块。 内部二极管提供电压钳位,无需外部组件。EcoSPARK® 器件可根据特定箝位电压进行定制。 有关详细信息,请联系距您最近的飞兆销售办事处。 • SCIS能量 = 500mJ at TJ = 25°C\n• 逻辑电平栅极驱动\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

ISL9V5045S3ST-F085C

IGBT, 450V, 43A, 1.25V, 500mJ, D2PAKEcoSPARK® I, N-Channel Ignition

The ISL9V5045S3ST-F085C is next generation ignition IGBT that offer outstanding SCIS capability in the industry standard D2-Pak (TO-263) plastic package. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil drivers. Internal diodes provide voltage clamping without • SCIS Energy = 500mJ at TJ = 25°C\n• Internal diodes provide voltage clamping without need for external components\n• Logic Level Gate Drive\n• Qualified to AEC Q101\n• RoHS Compliant;

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安森美半导体

ISL9V5045S3ST

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 480V 51A TO263AB

ONSEMI

安森美半导体

ISL9V5045S3ST-F085

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 480V 51A 300W D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    480V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    51A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):

    1.6V @ 4V,10A

  • 功率 - 最大值:

    300W

  • 输入类型:

    逻辑

  • 栅极电荷:

    32nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/10.8µs

  • 测试条件:

    300V,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
24+
TO-262(I2PAK)
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原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
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更多ISL9V5045S3供应商 更新时间2025-11-30 15:30:00