EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT

文件：229.83 Kbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

ISL9V5045S3ST_F085 EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT

The ISL9V5045S3S, ISL9V5045S3ST is next generation ignition IGBT that offer outstanding SCIS capability in the industry standard D2-Pak (TO-263) plastic package. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil drivers. Internaldiodes provide voltage clamping

文件：251.29 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

ECOSPARK Ignition IGBT 500 mJ, 450 V, N-Channel Ignition IGBT

Features • SCIS Energy = 500 mJ at TJ = 25°C • Logic Level Gate Drive • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • Automotive Ignition Coil Driver Circuits • High Current Ignition System • Coil on Plug Applications

文件：1.22966 Mbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT

文件：229.83 Kbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

IGBT 480V 51A 300W D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 480V 51A 300W D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

IGBT，450V，19A，1.6V，300mJ，DPAKEcoSPARK® I，N 沟道点火

ISL9V5045S3ST 是下一代点火 IGBT，提供工业标准 D2-Pak (TO-263) 塑封和杰出的 SCIS 能力。 此器件设计用于车用点火电路，特别是电感驱动模块。 内部二极管提供电压钳位，无需外部组件。EcoSPARK® 器件可根据特定箝位电压进行定制。 有关详细信息，请联系距您最近的飞兆销售办事处。 • SCIS能量 = 500mJ at TJ = 25°C\n• 逻辑电平栅极驱动\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

IGBT, 450V, 43A, 1.25V, 500mJ, D2PAKEcoSPARK® I, N-Channel Ignition

The ISL9V5045S3ST-F085C is next generation ignition IGBT that offer outstanding SCIS capability in the industry standard D2-Pak (TO-263) plastic package. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil drivers. Internal diodes provide voltage clamping without • SCIS Energy = 500mJ at TJ = 25°C\n• Internal diodes provide voltage clamping without need for external components\n• Logic Level Gate Drive\n• Qualified to AEC Q101\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 480V 51A 300W D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263

ONSEMI

安森美半导体