ISL9V5045S3ST数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

ISL9V5045S3ST 是下一代点火 IGBT，提供工业标准 D2-Pak (TO-263) 塑封和杰出的 SCIS 能力。 此器件设计用于车用点火电路，特别是电感驱动模块。 内部二极管提供电压钳位，无需外部组件。EcoSPARK® 器件可根据特定箝位电压进行定制。 有关详细信息，请联系距您最近的飞兆销售办事处。

特性 Features

• SCIS能量 = 500mJ at TJ = 25°C
• 逻辑电平栅极驱动
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合RoHS标准

应用 Application

• 人体电子

简介

ISL9V5045S3ST属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的ISL9V5045S3ST晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。