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ISL9N302AS3ST	文件：253.25 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs General Description This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequen 文件：253.25 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
ISL9N302AS3ST	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多ISL9N302AS3ST供应商更新时间2026-1-30 23:00:00