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ISL9N307AD3ST	文件：189.42 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 文件：189.42 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
ISL9N307AD3ST	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ISL9R1560PF2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO220F	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
ISL9R1560S2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市广弘电子有限公司	Fairchild
ISL9V3040D3ST	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252AA	FSC 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	FSC

详细参数

型号：
ISL9N307AD3ST
功能描述：
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多ISL9N307AD3ST供应商更新时间2025-12-10 16:04:00

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